NCE3050K参数
制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
产品种类 |
MOSFET |
产品特性 |
N沟道增强型功率MOSFET |
漏源极击穿电压 |
30V |
连续漏极电流 |
50A |
功率耗散 |
60W |
栅源极击穿电压 |
20V |
漏源导通电阻(典型值)(10V) |
8mΩ |
漏源导通电阻(典型值)(4.5V) |
10mΩ |
封装 |
TO252 |
NCE3050K概述
该NCE3050K采用先进的沟槽技术和设计,以提供优良的RDS(ON)低栅极电荷。它可以在各种各样的应用中。